MMUN2233LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, 47 кОм
The MMUN2233LT1G is a NPN Transistor with monolithic bias resistor network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design
- Reduces component count
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
Области применения
Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-23
Линейка Продукции:
-
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:
100мА
Полярность Цифрового Транзистора:
Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2:
47кОм
Резистор На входе Базы R1:
4.7кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:
0.1соотношение
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Тип упаковки:
Катушка
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
