MMBT589LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2441377
13,73 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
9000+
24000+
45000+
Цена
13,46 Р
13,19 Р
12,91 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MMBT589LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 3000.

Биполярный транзистор, низкое VCE (насыщения), PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBT589LT1G Цена заШтука (Поставляется на полной катушке) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Биполярный транзистор, низкое VCE (насыщения), PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

DC Ток Коллектора:
-1А
DC Усиление Тока hFE:
40hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-30В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Катушка
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные