MMBT589LT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2464091
93,63 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
69,67 Р
38,55 Р
26,49 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MMBT589LT1G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Нет в наличии
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMMBT589LT1G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

The MMBT589LT1G is a 1A PNP high current Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-1А
DC Усиление Тока hFE:
40hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-30В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные