MJD41CT4G (ON SEMICONDUCTOR)

F2464113
167,56 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
141,47 Р
99,03 Р
78,43 Р
нет данных
 

Минимальное количество для товара "MJD41CT4G (ON SEMICONDUCTOR)" 5.

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 1.75 Вт, 6 А, 15 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

Нет в наличии
БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJD41CT4G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 1.75 Вт, 6 А, 15 hFE

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
15hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
1.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
3МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные