BFP640ESDH6327XTSA1 (INFINEON)

F2443521
132,24 Р
(включая НДС 20%)
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
110,52 Р
74,84 Р
58,79 Р
Доступно: 3920 шт.
 
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.7 В, 45 ГГц, 160 мВт, 45 мА, 250 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

3920 шт. за 3-4 недели*
БрендINFINEON НаименованиеBFP640ESDH6327XTSA1 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.7 В, 45 ГГц, 160 мВт, 45 мА, 250 hFE

The BFP 640ESD H6327 is a robust low-noise NPN Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hereto junction bipolar technology. The device is especially suited for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 45GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 10GHz in amplifier applications. The transistor is fitted with internal protection circuits, which enhance the robustness against electrostatic discharge (ESD) and high levels of RF input power.
  • 2kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
  • High maximum RF input power of 21dBm
  • Easy to use
  • Halogen-free

Области применения

Промышленное, Радиочастотная Связь, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
45мА
DC Усиление Тока hFE:
250hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
TSFP
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
4.7В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
160мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Частота Перехода ft:
45ГГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Возможно, вас это заинтересует
  • Новинки
  • Недавно просмотренные