BDX53C (STMICROELECTRONICS)

F9946497
нет данных
 
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 60 Вт, 8 А, 750 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендSTMICROELECTRONICS НаименованиеBDX53C Цена заШтука Страна производстваPhilippines СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 60 Вт, 8 А, 750 hFE

The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.
  • Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
  • Collector current (Ic) is 8A
  • Power dissipation (Pd) is 60W
  • Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
  • DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
  • Operating junction temperature range from 150°C

Области применения

Управление Питанием, Потребительская Электроника, Переносные Устройства, Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
750hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
60Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары