BDV65BG (ON SEMICONDUCTOR)

F9555951
нет данных
 
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 1000 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
  Simulation Model EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеBDV65BG Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 1000 hFE

The BDV65BG is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
  • High DC current gain
  • Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
  • Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Области применения

Промышленное

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
10А
DC Усиление Тока hFE:
1000hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
125Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да