MCD56-12IO1B (IXYS SEMICONDUCTOR)

F2429720
нет данных
 
Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 60А, 1.2кВ

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS SEMICONDUCTOR НаименованиеMCD56-12IO1B Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

Тиристор / модуль диода, последовательное подключение, 60А, 1.2кВ

The MCD56-12IO1B is a phase leg Thyristor Module for line frequency.
  • Planar passivated chip
  • Long-term stability
  • Direct copper bonded Al2O3-ceramic

Области применения

Привод Двигателя и Управление, Обработка Сигнала, Освещение, Управление Теплом, ОВКВ, Управление Питанием

Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
100°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
1.5В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:
100мА
Максимальный Ток Удержания Ih:
200мА
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:
1.2кВ
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:
1.5кА
Средний Ток It:
60А
Тип SCR Модуля:
Последовательно Подключенные - Кремниевый Тиристор / Диоды
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
100А
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да