DSEI2X161-12P (IXYS SEMICONDUCTOR)

F1870866
нет данных
 
Модуль диода, 1.2 кВ, 128 А, 1.9 В, Двойной Изолированный, DSEI2 Series

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS SEMICONDUCTOR НаименованиеDSEI2X161-12P Цена заШтука Страна производстваGeorgia СкладFarnell

Модуль диода, 1.2 кВ, 128 А, 1.9 В, Двойной Изолированный, DSEI2 Series

The DSEI2X161-12P is a 128A Fast Recovery Epitaxial Diode with soft recovery behaviour. It is used as an anti-parallel diode for high frequency switching devices, as an anti-saturation diode, as a Snubber diode, freewheeling diode in converters and motor control circuits, rectifiers in switch mode power supplies (SMPS), inductive heating and melting, uninterruptible power supplies (UPS), ultrasonic cleaners and welders.
  • Isolation voltage 3600V~
  • Planar glass passivated chips
  • Low forward voltage drop
  • Leads suitable for PC board soldering
  • Very short recovery time
  • Easy to mount with two screws
  • Space and weight savings
  • Improved temperature and power cycling
  • Low noise switching
  • Small and lightweight
  • 2 Independent FRED in 1 package

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное

Конфигурация Модуля Диода:
Двойной Изолированный
Линейка Продукции:
DSEI2 Series
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:
1.2кВ
Максимальное Прямое Напряжение:
1.9В
Средний Прямой Ток:
128А
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да