ISL9R3060P2 (ON SEMICONDUCTOR)

F1495106
нет данных
 
Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 30 А, Одиночный, 2.4 В, 45 нс, 325 А

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеISL9R3060P2 Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 30 А, Одиночный, 2.4 В, 45 нс, 325 А

The ISL9R3060P2 is a STEALTH™ Diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH™ family exhibits low reverse recovery current (Irr) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for use as a free-wheeling or boost diode in power supplies and other power switching applications. The low Irr and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under which the diode may be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using the STEALTH™ diode with an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest power density design.
  • Avalanche energy rated
  • High reliability
  • 36ns at IF = 30A Stealth recovery (trr)

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Промышленное

Количество Выводов:
2 Вывода
Конфигурация Диода:
Одиночный
Линейка Продукции:
ISL9R Series
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Максимальное Время Обратного Восстановления:
45нс
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:
600В
Максимальное Прямое Напряжение:
2.4В
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm:
325А
Средний Прямой Ток:
30А
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
TO-220AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары