DPG10I200PA (IXYS SEMICONDUCTOR)

F1572540
нет данных
 
Быстрый / ультрабыстрый диод, эпитаксиальный диод (FRED), 200 В, 10 А, Одиночный, 980 мВ, 35 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS SEMICONDUCTOR НаименованиеDPG10I200PA Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

Быстрый / ультрабыстрый диод, эпитаксиальный диод (FRED), 200 В, 10 А, Одиночный, 980 мВ, 35 нс

The DPG10I200PA is a HiPerFRED?™ high-performance Fast-recovery Diode features low Irm which reduces power dissipation within the diode and turn-on loss in the commutating switch. It is used as anti-parallel diode for high frequency switching devices, anti-saturation diode, snubber diode, free-wheeling diode, rectifiers in switch mode power supplies (SMPS) and uninterruptible power supplies (UPS).
  • Planar passivated chips
  • Very low leakage current
  • Very short recovery time
  • Improved thermal behaviour
  • Very low Irm-values
  • Very soft recovery behaviour
  • Avalanche voltage rated for reliable operation
  • Soft reverse recovery for low EMI/RFI
  • Low loss and soft recovery
  • UL94V-0 Flammability rating

Области применения

Управление Питанием, Промышленное

Количество Выводов:
2 Вывода
Конфигурация Диода:
Одиночный
Линейка Продукции:
DPG10 Series
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Максимальное Время Обратного Восстановления:
35нс
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:
200В
Максимальное Прямое Напряжение:
980мВ
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm:
100А
Средний Прямой Ток:
10А
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
TO-220AC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары