H11G1M (ON SEMICONDUCTOR)
Оптопара, с транзистором на выходе, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 60 мА, 7.5 кВ, 500 %
The H11G1M is a 6-pin high voltage photodarlington-type optically Coupled Optocoupler consists of gallium-arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. It is suitable for CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface and replace pulse transformer.
- 100µA at 80°C Maximum low leakage current
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
Области применения
Связь и Сеть, Управление Питанием, Обработка Сигнала
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Количество Каналов:
1 канал
Линейка Продукции:
-
Максимальный Прямой Ток:
60мА
Мин. CTR:
500%
Напряжение Изоляции:
7.5кВ
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Стиль Корпуса Оптопары:
DIP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да