H11N1M (ON SEMICONDUCTOR)

F2822581
нет данных
 
Оптопара, 1 канал, 4.17 кВ, 5 Мбит/с, DIP, 6 вывод(-ов), H11N1M, H11N2M

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеH11N1M Цена заШтука Страна производстваThailand СкладFarnell

Оптопара, 1 канал, 4.17 кВ, 5 Мбит/с, DIP, 6 вывод(-ов), H11N1M, H11N2M

The H11NXM series has a high-speed integrated circuit detector optically coupled to an aluminium gallium arsenide (AlGaAs) infrared emitting diode. The output incorporates a Schmitt trigger, which provides hysteresis for noise immunity and pulse shaping. The detector circuit is optimized for simplicity of operation and utilizes an open-collector output for maximum application flexibility.
  • High data rate, 5 MHz typical (NRZ)
  • Free from latch-up and oscillation throughout voltage and temperature ranges
  • Microprocessor compatible drive
  • Guaranteed On/Off threshold hysteresis
  • Wide supply voltage capability, compatible with all popular logic systems

Области применения

Считывание и Контрольно-измерительная Аппаратура, Компьютеры и Периферия, Источники Питания

Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Количество Каналов:
1 канал
Линейка Продукции:
H11N1M, H11N2M
Напряжение Изоляции:
4.17кВ
Скорость Передачи Данных:
5Мбит/с
Стиль Корпуса Оптопары:
DIP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары