PBSS5130QAZ (NEXPERIA)

F2498517
нет данных
 
Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 170 МГц, 325 мВт, -1 А, 130 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендNEXPERIA НаименованиеPBSS5130QAZ Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 170 МГц, 325 мВт, -1 А, 130 hFE

The PBSS5130QA is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a leadless ultra-small surface-mount plastic package with visible and solderable side pads.
  • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High energy efficiency due to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board (PCB) area requirements
  • AEC-Q101 qualified
  • NPN complement is PBSS4130QA
  • 00 10 10 Marking code

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление, Авто

DC Ток Коллектора:
-1А
DC Усиление Тока hFE:
130hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-30В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
325мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
DFN1010D
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
170МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да