BFP842ESDH6327XTSA1 (INFINEON)

F2480677
нет данных
 
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 3.25 В, 57 ГГц, 120 мВт, 40 мА, 150 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
  Simulation Model EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеBFP842ESDH6327XTSA1 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 3.25 В, 57 ГГц, 120 мВт, 40 мА, 150 hFE

The BFP 842ESD H6327 is a high performance Hetero-junction Bipolar Transistor specifically designed for 2.3 to 3.5GHz LNA applications. The device is based upon the reliable high volume silicon germanium carbon technology of Infineon. It provides inherently good input power match as well as inherently good noise match between 2.3 and 3.5GHz. The simultaneous noise and power match without loss external matching components at the input leads to a low external parts count, to a very good noise figure and to a high transducer gain in the application. Integrated protection elements at in and output make the device robust against ESD and excessive RF input power. The device offers its high performance at low current and voltage and is especially well-suited for portable battery-powered applications in which energy efficiency is a key requirement.
  • Robust very low-noise amplifier
  • Unique combination of high end RF performance and robustness
  • Low power consumption
  • Easy to use
  • Halogen-free

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Беспроводное

DC Ток Коллектора:
40мА
DC Усиление Тока hFE:
150hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-343
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
3.25В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
120мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
57ГГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары