MMBT2222AWT1G (ON SEMICONDUCTOR)
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 40 В, 300 МГц, 150 мВт, 600 мА, 35 hFE
The MMBT2222AWT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Package saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Авто
DC Ток Коллектора:
600мА
DC Усиление Тока hFE:
35hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
40В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
150мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-323
Тип упаковки:
Катушка
Частота Перехода ft:
300МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да