2N5551TA (ON SEMICONDUCTOR)

F2453758
нет данных
 
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 100 МГц, 625 мВт, 600 мА, 30 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR Наименование2N5551TA Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 100 МГц, 625 мВт, 600 мА, 30 hFE

The 2N5551TA is a NPN Bipolar Transistor designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Области применения

Управление Питанием, Мультимедиа, Промышленное

DC Ток Коллектора:
600мА
DC Усиление Тока hFE:
30hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
160В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
625мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-92
Частота Перехода ft:
100МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары