BFP650H6327XTSA1 (INFINEON)

F2443516
нет данных
 
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINFINEON НаименованиеBFP650H6327XTSA1 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 100 hFE

The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.
  • Linear low-noise driver amplifier
  • Easy to use
  • Halogen-free

Области применения

Промышленное, Радиочастотная Связь, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
150мА
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-343
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
4.5В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
500мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
42ГГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да