NJT4030PT1G (ON SEMICONDUCTOR)

F2464103
нет данных
 
Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -40 В, 160 МГц, 2 Вт, -3 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNJT4030PT1G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -40 В, 160 МГц, 2 Вт, -3 А, 100 hFE

The NJT4030PT1G is a 3A bipolar PNP Power Transistor ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern. It is the combination of low saturation voltage and high gain.
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • High DC current gain
  • High current-gain bandwidth product
  • Halogen-free
  • Minimized power loss
  • Very low current requirements
  • Ideal for high frequency designs
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Авто

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-3А
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-40В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
2Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-223
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
160МГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары