MJE800G (ON SEMICONDUCTOR)

F2535638
нет данных
 
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеMJE800G Цена заШтука Страна производстваMalaysia СкладFarnell

Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 Вт, 4 А, 100 hFE

The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • Complementary device
  • Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication

Области применения

Промышленное, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
DC Усиление Тока hFE:
100hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
60В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
40Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-225
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары