BFP840FESDH6327XTSA1 (INFINEON)

F2480676
нет данных
 
Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 85 ГГц, 75 мВт, 35 мА, 150 hFE

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендINFINEON НаименованиеBFP840FESDH6327XTSA1 Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваChina СкладFarnell

Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 85 ГГц, 75 мВт, 35 мА, 150 hFE

The BFP 840FESD H6327 is a high performance Hetero-junction Bipolar Transistor specifically designed for 5 to 6GHz Wi-Fi applications. The device is based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon technology. It provides inherently good input and output power match as well as inherently good noise match at 5 to 6GHz. The simultaneous noise and power match without loss external matching components at the input leads to a low external parts count, to a very good noise figure and to a very high transducer gain in the Wi-Fi application. Integrated protection elements at in and output make the device robust against ESD and excessive RF input power. The device offers its high performance at low current and voltage and is especially well-suited for portable battery powered applications in which energy efficiency is a key requirement.
  • Robust ultra low-noise amplifier
  • Unique combination of high end RF performance and robustness
  • Low power consumption
  • Halogen-free

Области применения

Промышленное, Управление Питанием, Беспроводное

DC Ток Коллектора:
35мА
DC Усиление Тока hFE:
150hFE
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора:
TSFP
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
2.25В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
75мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Тип упаковки:
Разрезная лента
Частота Перехода ft:
85ГГц
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары