HFA3128BZ (RENESAS)

F1562030
нет данных
 
Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендRENESAS НаименованиеHFA3128BZ Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC

The HFA3128BZ is a PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The transistor exhibits a fT of 5.5GHz, low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of this transistor array provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
  • 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
  • <1pA Collector to collector leakage
  • Complete isolation between transistors

Области применения

Радиочастотная Связь, Считывание и Контрольно-измерительная Аппаратура, Промышленное, Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
37мА
DC Усиление Тока hFE:
60hFE
Количество Выводов:
16вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
12В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
150мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (07-Jul-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары