IDW20G65C5FKSA1 (INFINEON)
Карбидокремниевый диод Шоттки, серия thinQ 5G 650V, одиночный, 650В, 20А, 29нКл, TO-247
The IDW20G65C5 is a SiC Schottky Diode features higher safety margin against overvoltage and complements CoolMOS™ offer, reduced EMI compared to snappier Silicon diode reverse recovery waveform. The 5th generation thinQ!™ compact Schottky diode with thin-wafer technology and it is improves efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Qc x Vf). The new thinQ!™ generation 5 has been designed to complement 650V CoolMOS™ families, this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.
- Revolutionary semiconductor material-silicon carbide
- Reduced cooling requirements
- No reverse recovery/no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Increased efficiency compared to silicon diode alternatives
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
- Reduced EMI
- Reduced risks of thermal runaway
Области применения
Связь и Сеть, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием, Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление, Освещение
Количество Выводов:
3 Вывода
Конфигурация Диода:
Одиночный
Линейка Продукции:
Серия thinQ 5G 650V
Максимальная Температура Перехода Tj:
175°C
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:
650В
Полный Емкостной Заряд Qc:
29нКл
Постоянный Прямой Ток If:
20А
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
