STGE50NC60WD (STMICROELECTRONICS)

F1542220
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 100 А, 2.5 В, 260 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендSTMICROELECTRONICS НаименованиеSTGE50NC60WD Страна производстваMorocco СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 100 А, 2.5 В, 260 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)

The STGE50NC60WD is a N-channel ultrafast switching PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix W identifies a family optimized for very high frequency applications. It is suitable for very high frequency inverters, HF, SMPS and PFC in both hard switching and resonant topologies.
  • High current capability
  • High frequency operation
  • Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
  • Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode

Области применения

Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Техническое Обслуживание и Ремонт

DC Ток Коллектора:
100А
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
260Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
ISOTOP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары