IRG4BC30FD-SPBF (INFINEON)

F1013521
нет данных
 
БТИЗ транзистор, 31 А, 1.8 В, 100 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINFINEON НаименованиеIRG4BC30FD-SPBF Цена заШтука Страна производстваMexico СкладFarnell

БТИЗ транзистор, 31 А, 1.8 В, 100 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

The IRG4BC30FD-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with hyper-fast diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
  • Optimized for specific application conditions
  • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Области применения

ОВКВ, Потребительская Электроника, Альтернативаня Энергия, Управление Питанием

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
31А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.8В
Рассеиваемая Мощность:
100Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары